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Holst Center采用sALD在PEN箔上创建IGZO OLED显示器背板

来源:投影时代 更新日期:2019-11-22 作者:佚名

    荷兰Holst Center研究人员采用空间原子层沉积(sALD)技术,在薄膜晶体管(TFT)氧化物-TFT(IGZO)显示器背板上同时创建半导体层和介电层。

Holst Center采用sALD在PEN箔上创建IGZO OLED显示器背板

    研究人员在薄的PEN箔上创建了200 PPI的QVGA OLED显示器原型。这展示了如何在廉价的透明塑料箔片上使用sALD在低温工艺(低于200摄氏度)下生产TFT。TFT的迁移率达到8 cm2/V2,通道长度降至1μm。

    sALD设备由Holst Center开发,并由从Holst衍生出来的初创公司SALDtech进行商业化。 SALDtech当前提供1代(320x250 mm)工具,目前正在开发生产设备。

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